GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

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标准编号：GB/T 6617-2009

标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

标准类型：推荐性

标准英文：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

标准状态：现行

发布日期：2010-06-01

实施日期：2009-10-30

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：电气工程

国内标准分类号：H80

国际标准分类：29.045

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准类别：方法

代替标准：GB/T 6617-1995

起草单位：南京国盛电子有限公司 宁波立立电子股份有限公司

起草人：马林宝 骆红 吕立平 刘培东谭卫东