GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

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标准编号：GB/T 25188-2010

标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

标准类型：推荐性

标准英文：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

标准状态：现行

发布日期：2011-08-01

实施日期：2010-09-26

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：化工技术

国内标准分类号：G04

国际标准分类：71.040.40

技术归口：全国微束分析标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：中国科学院化学研究所 中国计量科学研究院

起草人：刘芬 王海 赵志娟 邱丽美 赵良仲宋小平