GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
标准编号：GB/T 26066-2010
标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
标准类型：推荐性
标准英文：practice for shallow etch pit detection on silicon
标准状态：现行
发布日期：2011-10-01
实施日期：2011-01-10
标准语言：中文
发布部委：
国际分类：电气工程
国内标准分类号：H80
国际标准分类：29.045
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准类别：方法
代替标准：
起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司
起草人：田素霞 张静雯 王文卫周涛
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