GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

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标准编号：GB/T 41751-2022

标准名称：氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

标准类型：推荐性

标准英文：Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

标准状态：现行

发布日期：2023-02-01

实施日期：2022-10-12

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：冶金

国内标准分类号：H21

国际标准分类：77.040

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国电子科技集团公司第四十六研究所厦门柯誉尔科技有限公司福建兆元光电有限公司 苏州纳维科技有限公司 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 山西华晶恒基新材料有限公司

起草人：邱永鑫 徐科 李腾坤 左洪波 杨鑫宏 邝光宁 王建峰任国强郑树楠刘立娜丁崇灯陈友勇