GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

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标准编号：GB/T 45716-2025

标准名称：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

标准类型：推荐性

标准英文：Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

标准状态：即将实施

发布日期：2025-09-01

实施日期：2025-05-30

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：电子学

国内标准分类号：L40

国际标准分类：31.080.01

技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所上海交通大学厦门芯阳科技股份有限公司浙江朗德电子科技有限公司 河北北芯半导体科技有限公司 中科院微电子所 深圳市威兆半导体股份有限公司 中国电子科技集团公司第十三研究所

起草人：恩云飞 高汭 柴智 林晓玲 高金环 任鹏鹏 陈磊 冉红雷 章晓文来萍陈义强周圣泽都安彦李伟聪