GB/T 45720-2025 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验

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标准编号：GB/T 45720-2025

标准名称：半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验

标准类型：推荐性

标准英文：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films

标准状态：即将实施

发布日期：2025-09-01

实施日期：2025-05-30

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：电子学

国内标准分类号：L55

国际标准分类：31.080.01

技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所安徽长麦智能科技有限公司广东汇芯半导体有限公司河北北芯半导体科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司深圳市森美协尔科技有限公司 吉林华微电子股份有限公司 中国科学院半导体研究所 贵州振华风光半导体股份有限公司 东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司 中国电子科技集团公司第十三研究所

起草人：陈义强 来萍 冯宇翔 王力纬 陈媛 常江 裴选 张亮旗 夏自金 刘世文 高汭蔡荣敢董显山肖庆中刘岳阳刘岗岗冯军宏迟雷