GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）

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标准编号：GB/T 43894.1-2024

标准名称：半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）

标准类型：推荐性

标准英文：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）

标准状态：即将实施

发布日期：2024-11-01

实施日期：2024-04-25

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：冶金

国内标准分类号：H21

国际标准分类：77.040

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：山东有研半导体材料有限公司金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司广东天域半导体股份有限公司 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司 中环领先半导体材料有限公司 鸿星科技（集团）股份有限公司

起草人：王玥 朱晓彤 徐新华 徐国科 陈海婷 丁雄杰 孙燕宁永铎李春阳张海英郭正江

GB/T43894.1——2024前言本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘几何形态评价》的第1部分。GB/T43894已经发布了以下部分：第1部分：高度径向二阶导数（ZDD)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技（集团)股份有限公司。本文件主要起草人：王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江。