GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验

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标准编号：GB/T 45719-2025

标准名称：半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验

标准类型：推荐性

标准英文：Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors

标准状态：即将实施

发布日期：2025-09-01

实施日期：2025-05-30

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：电子学

国内标准分类号：L40

国际标准分类：31.080.01

技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所国防科技大学中国电子科技集团公司第五十八研究所 西安电子科技大学 河北北芯半导体科技有限公司

起草人：路国光 章晓文 杨少华 彭超 来萍 梁斌 晋李华 林晓玲游海龙肖庆中韦覃如张魁赵文斌