GB/T 28854-2012 硅电容式压力传感器

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GB/T 28854-2012硅电容式压力传感器

标准编号:GB/T 28854-2012

标准名称:硅电容式压力传感器

标准类型:推荐性

标准英文:Silicon capacitive pressure sensor

标准状态:现行

发布日期:2013-02-15

实施日期:2012-11-05

标准语言:中文

发布部委:

国际分类:计量学和测量、物理现象

国内标准分类号:N11

国际标准分类:17.100

技术归口:中国机械工业联合会

主管部门:中国机械工业联合会

标准类别:产品

代替标准:

起草单位:沈阳仪表科学研究院国家仪器仪表元器件质量监督检验中心 传感器国家工程研究中心 浙江中控仪表有限公司等

起草人:张治国 刘沁 徐秋玲 李颖匡石

GB/T 28854—2012目次前言·1范围……2规范性引用文件3术语和定义…·4分类与命名…·.24.1分类24.2命名···25基本参数25.1测量范围(量程)25.2工作压力…25.3工作温度范围36要求6.11产品技术条件(详细规范)36.2元基本性能③6.3静态性能46.4稳定性56.5温度影响56.6过载(适用时)56.7静压……·66.8环境性能66.9疲劳寿命(适用时)67试验方法7.1环境条件7.2试验前准备7.3基本性能7.4静态性能87.5稳定性·…·107.6温度影响·…·107.7过载··107.8元静压……………···107.9环境性能··.117.10疲劳寿命138检验规则....138.1检验分类··.138.2出厂检验.…...138.3型式检验……14GB/T 28854—20129标志、包装、运输及贮存·.159.1产品标志·….159.2包装………·.159.3运输.…….169.4贮存…….16附录A(规范性附录)传感器性能指标的计算方法·17实际工作特性17A.2A.11参比工作直线17A.3满量程输出(YFs)…·18A.4非线性(51.)19A.5迟滞(H)19A.6重复性(R)19A.7准确度()….…··20A.8零点漂移(dz)21A.91零点长期稳定性(r)22A.10满量程输出漂移(r)22A.11热零点漂移(α)22A.12热满量程输出漂移(β)22A.13振动对传感器零点影响(Z。)·.23

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