GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

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标准编号：GB/T 1551-2021

标准名称：硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

标准类型：推荐性

标准英文：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method

标准状态：现行

发布日期：2021-12-01

实施日期：2021-05-21

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：冶金

国内标准分类号：H21

国际标准分类：77.040

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准类别：方法

代替标准：GB/T 1551-2009

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所有研半导体材料有限公司青海芯测科技有限公司乐山市产品质量监督检验所亚洲硅业（青海）股份有限公司开化县检验检测研究院青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 有色金属技术经济研究院有限责任公司 广州市昆德科技有限公司 浙江海纳半导体有限公司 中国计量科学研究院 浙江金瑞泓科技股份有限公司 南京国盛电子有限公司 义乌力迈新材料有限公司

起草人：刘立娜 刘兆枫 杨素心 孙燕 梁洪 潘金平 李慎重 潘文宾 皮坤林 何烜坤刘刚高英王昕楼春兰宗冰蔡丽艳王志强

GB/T1551—2021前言本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件代替GB/T1551一2009《硅单晶电阻率测定方法》，与GB/T1551一2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：a）更改了直排四探针法的适用范围（见第1章,2009年版的第1章）；b）“范围"中增加了“硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行”（见第1章)；c）增加了规范性引I用文件GB/T14264（见第2章）；d）增加了“术语和定义”（见第3章)；e）更改了测试环境温度的要求（见第4章，2009年版的第2章、第13章）；f）更改了“干扰因素”中光照对测试结果的影响（见5.1,2009年版的3.1、14.1)；g）增加了少数载流子注人对测试结果具体影响的干扰因素（见5.3)；h）更改了“干扰因素”中温度对测试结果的影响（见5.4,2009年版的3.4、14.4)；i）增加了探针振动、探针头类型对测试结果影响的干扰因素（见5.5、5.6);j）增加了直排四探针法测试时样品发热、探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素[见5.7a）、5.7c）]；k）增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀、存在轻微裂痕或其他机械损伤、导电类型不唯一对测试结果影响的干扰因素（见5.8）；1）删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容（见2009年版的14.6）；m）更改了直排四探针法的测试原理（见6.1,2009年版的第4章）；n）增加了直排四探针法中“试剂和材料”（见6.2)；o）更改了直排四探针法中对针尖形状和初始标称半径的要求[见6.3.1a），2009年版的5.1.1]；p）更改了直排四探针法中标准电阻的要求［见6.3.2c）、2009年版的5.2.4]；q）更改了直排四探针法中散热器的要求（见6.3.4,2009 年版的5.4)；r）更改了直排四探针法中制样装置的要求（见6.3.5，2009年版的5.5）；s）更改了直排四探针法中厚度测试仪的要求（见6.3.6，2009年版的5.6）；t）女删除了直排四探针法中超声波清洗器、化学实验室器具的要求（见2009年版的5.13、5.14)；u）更改了直排四探针法中样品表面处理的描述（见6.4.1,2009年版的6.1)；v）增加了电阻率大于3000Ω·cm样品对应的推荐圆片样品测试电流值（见表2,2009年版的表2）；w）删除了不同电阻率样品对应的测试电流（见2009年版的表2)；x）更改了直排四探针法中电学测试装置的要求（见6.5.1.6，2009年版的7.1.6）；y）更改了直排四探针法中确定探针间距用材料的要求（见6.5.2.1,2009年版的7.2.1）；z）删除了直排四探针法测试中样品清洗、干燥的过程（见2009年版的7.3.1)；aa）删除了直排四探针法测试中对于圆片试样的特殊要求（见2009年版的7.3.2、7.3.3）；bb）删除了直排四探针法测试圆片时探针阵列位置的要求（见2009年版的7.3.4)；cc）更改了直排四探针法测量组数的要求（见6.5.3.7，2009年版的7.3.8）；dd）更改了直排四探针法测试精密度的内容（见6.7,2009年版的第9章）；ee）更改了直排四探针法的测试原理（见7.1,2009年版的第15章）；GB/T 1551—2021ff）删除了直流两探针法“试剂”中的丙酮、乙醇（见2009年版的16.2、16.3)；gg）更改了直流两探针法中欧姆接触材料和磨料的要求（见7.2.2、7.2.3,2009年版的16.4、16.5）；hh）增加了直流两探针法中显微镜放大倍数的要求（见7.3.5）；ii）删除了直流两探针法中的化学实验室设备（见2009 年版的17.7)；）删除了直流两探针法“试样制备”中对晶体导电类型的要求（见2009年版中的18.1)；kk）更改了直流两探针法在第二测量道上测试的条件（见7.4.2、7.5.3.10，2009年版的18.2、19.3.10)；11）更改了直流两探针法中样品表面处理的描述（见7.4.3、7.4.4,2009年版的18.3、18.4）；mm）更改了直流两探针法测试设备适用性检查中模拟电阻平均值R。的要求（见7.5.2.2,2009年版的19.2.2.3)；nn）更改了直流两探针法测试精密度的内容（见7.7,2009年版的第21章）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203)和全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限