GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类

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标准编号：GB/T 43493.1-2023

标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类

标准类型：推荐性

标准英文：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects

标准状态：即将实施

发布日期：2024-07-01

实施日期：2023-12-28

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：电子学

国内标准分类号：L90

国际标准分类：31.080.99

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准类别：基础

代替标准：

起草单位：河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）之江实验室中国电子科技集团公司第四十六研究所中电化合物半导体有限公司ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司河北普兴电子科技股份有限公司深圳市晶扬电子有限公司常州臻晶半导体有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司 山东天岳先进科技股份有限公司 浙江大学 中国科学院半导体研究所 广东天域半导体股份有限公司 山西烁科晶体有限公司 深圳创智芯联科技股份有限公司 广州弘高科技股份有限公司 深圳超盈智能科技有限公司 中微半导体（上海）有限公司

起草人：房玉龙 芦伟立 张红岩 王健 李振廷 张建锋 刘立娜 钮应喜 刘薇 杨玉聪 姚玉 高东兴 夏俊杰 周少丰 李佳张冉冉李丽霞殷源徐晨杨青金向军丁雄杰魏汝省吴会旺王辉陆敏郭世平