GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法

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标准编号：GB/T 43493.2-2023

标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法

标准类型：推荐性

标准英文：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection

标准状态：即将实施

发布日期：2024-07-01

实施日期：2023-12-28

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：电子学

国内标准分类号：L90

国际标准分类：31.080.99

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）中国电子科技集团公司第四十六研究所山东天岳先进科技股份有限公司中国科学院半导体研究所山西烁科晶体有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司深圳市恒运昌真空技术有限公司深圳超盈智能科技有限公司厦门柯尔自动化设备有限公司 之江实验室 浙江大学 河北普兴电子科技股份有限公司 中电化合物半导体有限公司 广东天域半导体股份有限公司 常州银河世纪微电子股份有限公司 深圳市鹰眼在线电子科技有限公司 常州臻晶半导体有限公司 厦门普诚科技有限公司

起草人：芦伟立 房玉龙 李丽霞 杨青 张建锋 李振廷 张永强 钮应喜 丁雄杰 刘薇 乐卫平 周翔 郑隆结 薛联金 李佳张冉冉殷源刘立娜徐晨宋生金向军毛开礼周少丰庄建军夏俊杰陆敏