GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法

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标准编号：GB/T 24578-2024

标准名称：半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法

标准类型：推荐性

标准英文：Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy

标准状态：即将实施

发布日期：2025-02-01

实施日期：2024-07-24

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：冶金

国内标准分类号：H21

国际标准分类：77.040

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准委

标准类别：方法

代替标准：GB/T 24578-2015,GB/T 34504-2017

起草单位：有研半导体硅材料股份公司浙江海纳半导体股份有限公司深圳牧野微电子技术有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司江苏华兴激光科技有限公司哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司深圳市晶导电子有限公司 天通银厦新材料有限公司 北京通美晶体技术股份有限公司 浙江金瑞泓科技股份有限公司 广东天域半导体股份有限公司 江苏芯梦半导体设备有限公司 深圳市深鸿盛电子有限公司 湖南德智新材料有限公司

起草人：宁永铎 孙燕 朱晓彤 康森 潘金平 任殿胜 丁雄杰 刘薇 赵丽丽 张西刚 贺东江李素青靳慧洁孙韫哲张海英何凌沈演凤廖周芳赖辉朋廖家豪

SACGB/T24578—2024前言本文件按照 GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件代替GB/T 24578一2015《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》和GB/T34504—2017《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法》。与GB/T24578—2015和　GB/T34504一2017相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下：a）更改了范围（见第1章,GB/T24578—2015和GB/T34504—2017的第1章）；　b）增加了“全反射”的定义（见3.1）；c）删除了缩略语（见GB/T24578—2015的第4章,GB/T 34504—2017的3.2）；　d）更改了方法原理（见第4章,GB/T24578—2015的第5章和GB/T34504—2017的第4章）；e）更改了干扰因素中掠射角校准的影响、样品表面粗糙度和波纹带来的影响［见 5.2.3、5.3.2，GB/T 24578—2015 的 6.2.1、6.3.2和 GB/T 34504—2017 的 6.2 b）、6.2 g)］;增加了掠射角选择,测试钠、镁、铝元素时的检出限,靶材工作方式的影响,靶材腔室真空度的影响,主腔室氮气纯度的影响,校准样片与测试样片角扫描不同的影响（见 5.1.1、5.1.6、5.2.6、5.2.7、5.2.8、5.3.1)；f）更改了干扰因素中沾污元素的影响、沾污不均匀的影响［见5.3.4、5.3.5,GB/T 34504—2017的6.3 e)、6.3 f)］；g）删除了干扰因素中设备主机高架地板振动的影响、设备所在环境、样品载具、操作人员的手套洁净度不良等情况的影响［见GB/T 34504—2017 的 6.3 a）、6.3c)］；h）更改了试验条件（见第6章,GB/T24578—2015的第9章和GB/T 34504—2017的第7章）；i）增加了校准中全反射临界角的近似计算公式（见9.2.3)；j）更改了设备的校准(见第9章,GB/T 24578—2015 第10 章、第11章和GB/T 34504—2017的第8章)；k）更改了试验步骤（见第10章,GB/T 24578—2015 的第12章和GB/T 34504—2017 的第9章)；1）更改了精密度（见第11章,GB/T 24578—2015 的第13 章和GB/T 34504—2017的第11章);m）删除了测试结果的计算（见GB/T34504—2017的第10章）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、天通银厦新材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、深圳牧野微电子技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广东天域半导体股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、江苏芯梦半导体设备有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、深圳市深鸿盛电子有限公司、深圳市晶导电子有限公司、湖南德智新材料有限公司。本文件主要起草人:宁永铎、孙燕、贺东江、李素青、朱晓彤、康森、靳慧洁、孙哲、潘金平、任殿胜、张海英、何凌、丁雄杰、刘薇、沈演凤、廖周芳、赵丽丽、张西刚、赖辉朋、廖家豪。本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：2009年首次发布为GB/T24578—2009；　本次为第二次修订,并人了GB/T34504一2017《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法》。