GB/T 44558-2024 III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

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标准编号：GB/T 44558-2024

标准名称：III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

标准类型：推荐性

标准英文：Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy

标准状态：即将实施

发布日期：2025-04-01

实施日期：2024-09-29

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：冶金

国内标准分类号：H21

国际标准分类：77.040

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准委

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏第三代半导体研究院有限公司北京大学北京大学东莞光电研究院ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司山东浪潮华光光电子股份有限公司 苏州纳维科技有限公司 苏州科技大学 国家纳米科学中心 东莞市中镓半导体科技有限公司 苏州大学 北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司

起草人：曾雄辉 董晓鸣 王建峰 徐科 郭延军 陈家凡 敖松泉 唐明华 苏旭军牛牧童王晓丹徐军王新强颜建锋闫宝华李艳明

SGB/T 44558—2024前言本文件按照 GB/T 1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司。本文件主要起草人:曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明。